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AP20N15GI-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP20N15GI-HF图片预览
型号: AP20N15GI-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 99 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP20N15GI-HF
60
40
T
C
=25 C
50
o
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
10V
9.0V
8.0V
7.0V
T
C
= 150 C
o
30
10V
9.0 V
8.0 V
7.0 V
V
G
= 6.0 V
40
30
20
V
G
=6.0V
20
10
10
0
0
4
8
12
16
0
0
4
8
12
16
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
100
2.8
I
D
= 10 A
T
C
=25
o
C
归一化ř
DS ( ON)
4
5
6
7
8
9
10
90
2.4
I
D
=10A
V
G
=10V
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
2.0
80
1.6
1.2
70
0.8
60
0.4
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
10
8
归V
GS ( TH)
(V)
1.2
I
S
(A)
6
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
1.2
4
0.6
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3