AP1A003GMT-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP1A003GMT-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 55 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP1A003GMT-HF

16000

f=1.0MHz

= 25 A

=15V

，门源电压（ V）

12000

C（ pF）的

国际空间站

8000

4000

120

160

OSS

RSS

，总栅极电荷（ NC）

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

1000

占空比系数= 0.5

归热响应（R

thJC

)

0.2

在这一领域

限于由R

DS （ ON）

100

100us

0.1

0.05

(A)

1ms

0.02

0.01

单脉冲

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

= P

个R

thJC

+ T

10ms

=25

单脉冲

0.01

0.1

100

100ms

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

300

，漏电流（ A）

200

4.5V

100

不限按包

收费

100

125

150

，外壳温度（

图11.漏极电流V.S.例

温度

图12.栅极电荷波形

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