AP18P10GS-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP18P10GS-HF
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内容描述：	[Power Field-Effect Transistor]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 71 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP18P10AGH/J-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

低栅极电荷

▼

简单的驱动要求

▼

快速开关特性

▼

符合RoHS &无卤

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-100V

140mΩ

-12A

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者

快速切换的最佳组合，坚固耐用的设备设计，低导通

性和成本效益。

在TO- 252封装，广泛首选的所有商业，工业

表面安装的应用和适合于低电压应用，例如

作为DC / DC变换器。通孔版（ AP18P10AGJ ）是

适用于薄型应用。

TO-252(H)

TO-251(J)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

存储温度范围

工作结温范围

等级

-100

+30

-12

-7.4

-48

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）

价值

3.2

62.5

110

单位

℃/W

201203132

最大热阻，结到环境

数据和规格如有变更，恕不另行通知

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