AP18N50W 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP18N50W
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	4 页 / 99 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP18N50W

10000

f=1.0MHz

国际空间站

，门源电压（ V）

=20A

=400V

1000

OSS

C（ pF）的

100

RSS

100

120

，总栅极电荷（ NC）

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

占空比= 0.5

归热响应（R

thJC

)

0.2

1ms

(A)

0.1

10ms

100ms

0.1

0.05

0.02

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

= P

个R

thJC

+ T

0.01

=25 C

单脉冲

0.1

100

1000

单脉冲

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

90%

10V

10%

D（上）

D（关闭）

收费

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

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