欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP18N20GH-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP18N20GH-HF图片预览
型号: AP18N20GH-HF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 105 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP18N20GH-HF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP18N20GH-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP18N20GH-HF的Datasheet PDF文件第4页  
AP18N20GH/J-HF
40
T
C
=25 C
I
D
,漏电流( A)
30
o
I
D
,漏电流( A)
16V
12V
10V
8.0V
V
G
= 6 .0V
30
T
C
=150 C
o
20
16V
12V
10V
8.0V
V
G
= 6 .0V
20
10
10
0
0
0
4
8
12
16
0
4
8
12
16
20
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
600
2.8
I
D
=5A
520
T
C
=25 C
归一化ř
DS ( ON)
o
2.4
I
D
=8A
V
GS
=10V
2
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
440
1.6
360
1.2
280
0.8
200
0.4
120
2
4
6
8
10
0
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温(
o
C )
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
14
12
1.3
10
归V
GS ( TH)
(V)
1.1
I
S
(A)
8
6
T
j
=150 C
4
o
T
j
=25 C
o
0.9
0.7
2
0
0.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3