AP1801GU 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP1801GU
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内容描述：	P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 73 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP1801GU

无铅电镀产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

能够2.5V栅极驱动

▼

导通电阻的降低

▼

表面贴装封装

2021-8

P沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

-20V

70mΩ

-4A

描述

先进的功率MOSFET采用先进的加工技术

以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和

成本效益的设备。

该2021-8 J形引脚封装提供了良好的导通电阻性能

和节省空间像SC- 70-6 。

绝对最大额定值

符号

=25℃

=70℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

漏电流脉冲

1,2

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

等级

-20

±12

-4

-3.3

1.6

0.013

-55到150

单位

W/℃

℃

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

马克斯。

价值

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200111051

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