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AP15P15GH-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP15P15GH-HF图片预览
型号: AP15P15GH-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 100 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP15P15GH-HF
f=1.0MHz
15
4000
-V
GS
,门源电压( V)
12
V
DS
= - 80 V
I
D
= - 18 A
9
3000
C
国际空间站
C( pF)的
2000
6
1000
3
0
0
20
40
60
80
0
1
5
9
13
17
21
25
C
OSS
C
RSS
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
在这一领域
限于由R
DS ( ON)
100us
1ms
10
0.2
0.1
-I
D
(A)
10ms
1
0.1
0.05
100ms
DC
T
C
=25
o
C
单脉冲
P
DM
t
0.02
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
单脉冲
0
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
100
V
G
80
Q
G
P
D
(W)
60
-10V
Q
GS
Q
GD
40
20
收费
0
0
50
100
150
Q
T
C ,
外壳温度( C)
o
图11.典型功耗
图12.栅极电荷波形
4