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AP15P10GS_09 参数 Datasheet PDF下载

AP15P10GS_09图片预览
型号: AP15P10GS_09
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 105 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP15P10GS/P
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
低栅电荷
简单的驱动要求
快速开关特性
符合RoHS
G
S
D
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-100V
230mΩ
-15A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本效益。
在TO- 263封装,广泛首选的所有商业,工业
表面贴装应用,并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版( AP15P10GP )
可用于小尺寸应用。
G
D
GD
S
TO-263(S)
TO-220(P)
S
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
-100
+20
-15
-9.4
-60
96
0.77
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境(印刷电路板安装)
3
价值
1.3
40
62
单位
℃/W
℃/W
℃/W
1
200910083
最大热阻,结到环境
数据和规格如有变更,恕不另行通知