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AP13P15GJ 参数 Datasheet PDF下载

AP13P15GJ图片预览
型号: AP13P15GJ
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内容描述: P沟道增强型功率MOSFET [P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 75 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP13P15GH/J
25
25
T
C
=25
o
C
20
-10V
-7.0V
20
T
C
=150
o
C
-I
D
,漏电流( A)
-10V
-7.0V
-I
D
,漏电流( A)
15
15
-5.0V
10
-5.0V
10
-4.5V
5
-4.5V
5
V
G
= - 3 .0V
0
V
G
= - 3 .0V
0
25
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1400
2.3
I
D
= -7 A
T
C
=25
1000
I
D
=- 7 A
V
G
=-10V
1.8
归一化ř
DS ( ON)
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
1.3
600
0.8
200
2
4
6
8
10
0.3
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
6
归-V
GS ( TH)
(V)
4
1.1
T
j
=150
o
C
-I
S
(A)
T
j
=25
o
C
2
0.7
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.3
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4