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AP13N50I 参数 Datasheet PDF下载

AP13N50I图片预览
型号: AP13N50I
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内容描述: [TRANSISTOR 14 A, 500 V, 0.52 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220CFM, 3 PIN, FET General Purpose Power]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 102 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP13N50I-HF
12
3200
f=1.0MHz
I
D
=14A
V
DS
=200V
V
GS
,门源电压( V)
10
2400
C
国际空间站
8
C( pF)的
6
1600
4
800
2
0
0
10
20
30
40
50
60
0
1
5
9
13
17
21
25
29
C
OSS
C
RSS
33
37
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
占空比= 0.5
100
归热响应(R
thJC
)
0.2
10
操作在此
面积受限
R
DS ( ON)
0.1
0.1
100us
1ms
10ms
100ms
I
D
(A)
0.05
0.02
1
0.01
P
DM
0.01
t
T
单脉冲
0
T
C
=25
o
C
单脉冲
0
0.1
1
10
100
1s
DC
1000
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4