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AP1334GEU-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP1334GEU-HF图片预览
型号: AP1334GEU-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 58 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP1334GEU-HF
6
800
f=1.0MHz
I
D
=6A
5
V
DS
= 10 V
600
V
GS
,门源电压( V)
C
国际空间站
4
3
C( pF)的
400
2
200
1
0
0
4
8
12
16
20
0
1
5
9
13
17
C
RSS
C
OSS
21
25
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
10
1
操作在此
面积受限
R
DS ( ON)
归热响应(R
thJA
)
占空比系数= 0.5
1
I
D
(A)
100us
1ms
0.2
0.1
0.1
10ms
0.1
0.05
P
DM
t
T
0.02
100ms
T
A
=25 C
单脉冲
o
1s
DC
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=450℃/W
单脉冲
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
40
4
V
DS
=5V
T
j
=-40
o
C
I
D
,漏电流( A)
30
I
D
,漏电流( A)
3
T
j
=25
o
C
T
j
=150 C
o
3
20
2
10
1
0
0
0
1
2
25
50
75
100
125
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
A
,环境温度( ℃)
o
图11.传输特性
图12.最大连续漏极
目前V.S.环境温度
4