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AP12L02J 参数 Datasheet PDF下载

AP12L02J图片预览
型号: AP12L02J
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 83 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP12L02H/J
21
T
C
=25 C
o
10V
8.0V
6.0V
18
T
C
=150
o
C
10V
8.0V
6.0V
I
D
,漏电流( A)
14
I
D
,漏电流( A)
12
5.0V
5.0V
6
7
V
GS
=4.5V
V
GS
=4.5V
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
180
2
I
D
=6A
T
C
=25
I
D
=6A
V
GS
=10V
80
归一化ř
DS ( ON)
2
6
10
14
130
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
0.8
30
0.2
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
,结温(
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温