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AP1203GMA 参数 Datasheet PDF下载

AP1203GMA图片预览
型号: AP1203GMA
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 61 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP1203GMA
f=1.0MHz
12
10000
I
D
=20A
V
GS
,门源电压( V)
V
DS
= 13 V
V
DS
= 16 V
V
DS
=20V
C( pF)的
1000
9
6
C
国际空间站
3
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Fig7 。栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
100
0.2
0.1
I
D
(A)
0.1
0.05
100us
10
P
DM
0.02
1ms
o
T
C
=25 C
单脉冲
t
0.01
T
单脉冲
1
0.1
1
10
10ms
100ms
DC
100
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
80
V
DS
=5V
60
V
G
Q
G
T
j
=25 C
o
I
D
,漏电流( A)
T
j
=150 C
o
4.5V
Q
GS
Q
GD
40
20
收费
0
0
2
4
6
8
Q
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4/4