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AP10P10GK-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP10P10GK-HF图片预览
型号: AP10P10GK-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 54 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP10P10GK-HF
8
4
T
A
=25 C
-I
D
,漏电流( A)
6
o
-I
D
,漏电流( A)
-10V
-7.0V
-6.0V
-5.0V
V
G
= -4.0V
T
A
=150
o
C
3
-10V
-7.0V
-6.0V
-5.0V
V
G
= -4.0V
4
2
2
1
0
0
2
4
6
8
0
0
2
4
6
8
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
440
2.4
I
D
= -1 A
T
A
=25 C
420
2.0
o
I
D
= -1.5 A
V
G
=-10V
归一化ř
DS ( ON)
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
400
1.6
380
1.2
360
0.8
20
340
2
4
6
8
10
0.4
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
4
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
归-V
GS ( TH)
1.2
1.4
3
1.2
-I
S
(A)
0.8
1
0.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0
-50
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3