AP10N70W 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP10N70W
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	5 页 / 227 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP10N70W

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

100％的雪崩测试

▼

快速开关特性

▼

简单的驱动要求

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600V

0.6Ω

10A

描述

AP10N70系列产品是专门设计用于主开关器件

万向90 〜265VAC离线AC / DC转换应用程序。在TO- 3P型

提供高阻断电压，以克服电压浪涌和下陷的

最艰难的动力系统与快速的最佳组合

交换，

加固的设计和成本效益。

在TO- 3P封装

广泛

首选商业，工业

应用程序。

该装置适合于开关模式电源，直流 - 交流

转换器

和大电流高速开关电路。

TO-3P

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

600

± 30

6.3

174

1.39

单位

W/℃

℃

总功耗

线性降额因子

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

-55到150

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大

热阻，结案件

最大

热阻，结到环境

价值

0.72

单位

℃/W

201022072-1/4

数据&规格如有变更，恕不另行通知

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