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AP09T10GP-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP09T10GP-HF图片预览
型号: AP09T10GP-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 53 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP09T10GP-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低栅极电荷
快速开关特性
无卤& RoHS标准的产品
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
100V
300mΩ
4.4A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供了设计者
快速切换的最佳组合,坚固耐用的设备设计,低导通
性和成本效益。
在TO- 220封装,广泛首选商业工业电源
G
D
应用和适合于低电压应用,如直流/直流
S
转换器。
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
100
+20
4.4
2.8
12
12.5
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
10
62
单位
℃/W
℃/W
1
201110071
数据和规格如有变更,恕不另行通知