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AP09N20BGI-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP09N20BGI-HF图片预览
型号: AP09N20BGI-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 64 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP09N20BGI-HF
20
16
T
C
= 25
o
C
16
I
D
,漏电流( A)
I
D
,漏电流( A)
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V
G
=4.5V
T
C
=150 C
12
o
10V
7.0V
6.0V
5.0V
V
G
=4.5V
12
8
8
4
4
0
0
8
16
24
32
0
0
8
16
24
32
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.6
2.8
2.4
1.4
I
D
=5A
V
GS
=10V
归BV
DSS
(V)
归一化ř
DS ( ON)
-50
0
50
100
150
2
1.2
1.6
1.2
1
0.8
0.8
0.4
0.6
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
8
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
1.2
6
归V
GS ( TH)
(V)
I
S
(A)
1
4
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
0.8
0.6
0
0.4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3