AP05N50H-HF 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP05N50H-HF
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	4 页 / 64 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP05N50H-HF

无卤素产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

100％的雪崩测试

▼

快速开关特性

▼

简单的驱动要求

▼

符合RoHS &无卤

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

500V

1.4Ω

5.0A

描述

该AP05N50提供高阻断电压，以克服电压浪涌

和凹陷在最艰难的电力系统的快速的最佳组合

开关，加固设计和成本效益。

在TO- 252封装，广泛首选商业，工业

表面安装的应用和适合于低电压应用。

TO-252(H)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

等级

500

+20

5.0

2.8

73.5

0.59

单位

W/℃

℃

总功耗

线性降额因子

总功耗

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

-55到150

单脉冲雪崩能量

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）

价值

1.7

62.5

单位

℃/W

201008092

数据&规格如有变更，恕不另行通知

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