欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP05N50EH-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP05N50EH-HF图片预览
型号: AP05N50EH-HF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 68 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP05N50EH-HF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP05N50EH-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP05N50EH-HF的Datasheet PDF文件第4页  
AP05N50EH/J-HF
8
5
T
C
=25 C
I
D
,漏电流( A)
6
o
I
D
,漏电流( A)
10V
8.0V
7.0V
6.0V
T
C
=150
o
C
4
10V
8.0V
7.0V
6.0V
V
G
=5.0V
3
4
2
V
G
=5.0V
2
1
0
0
4
8
12
16
20
24
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3
I
D
=1mA
I
D
=2A
V
G
=10V
1.1
归BV
DSS
(V)
归一化ř
DS ( ON)
2
1
1
0.9
0.8
-40
0
40
80
120
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
8
1.5
图4.归一导通电阻
V.S.结温
I
D
=250uA
6
归V
GS ( TH)
(V)
1.2
1
I
S
(A)
4
T
j
= 150
o
C
T
j
= 25
o
C
0.5
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3