AP04N60I 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP04N60I
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	4 页 / 62 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP04N60I

符合RoHS标准的产品

先进的电源

电子股份有限公司

▼

100％的雪崩测试

▼

快速开关特性

▼

简单的驱动要求

N沟道增强模式

功率MOSFET

DSS

DS （ ON）

600V

2.35Ω

描述

AP04N60系列产品是专门设计用于主开关器件

万向90 〜265VAC离线AC / DC转换应用程序。

TO- 220CFM型提供高阻断电压，以克服电压

浪涌和下陷在最艰难的电力系统的最佳组合

的快速开关，坚固耐用的设计和成本效益。

TO-220CFM(I)

绝对最大额定值

符号

=25℃

=100℃

=25℃

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

总功耗

单脉冲雪崩能量

雪崩电流

存储温度范围

工作结温范围

等级

600

+30

2.2

36.8

-55到150

单位

℃

热数据

符号

Rthj -C

Rthj -A

参数

最大热阻，结案件

最大热阻，结到环境

价值

3.4

单位

℃/W

数据&规格如有变更，恕不另行通知

200902231

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案