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AP04N60I-A-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP04N60I-A-HF图片预览
型号: AP04N60I-A-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 65 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP04N60I-A-HF
8
5
T
C
=25 C
I
D
,漏电流( A)
o
6
I
D
,漏电流( A)
10V
8.0V
7.0V
6.0V
T
C
=150
o
C
4
3
10V
8.0V
7.0V
6.0V
V
G
=5.0V
4
2
2
V
G
=5.0V
1
0
0
4
8
12
16
20
24
28
0
0
4
8
12
16
20
24
28
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3
I
D
=2A
V
G
=10V
归BV
DSS
(V)
1.1
归一化ř
DS ( ON)
-50
0
50
100
150
2
1
1
0.9
0.8
0
-50
0
50
100
150
T
j
,结温( C)
o
T
j
,结温( C)
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
8
1.6
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.4
6
I
S
(A)
o
T
j
= 150 C
T
j
= 25 C
o
归V
GS ( TH)
(V)
1.3
1.5
1.2
4
1
0.8
2
0.6
0
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3