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AP03N70F 参数 Datasheet PDF下载

AP03N70F图片预览
型号: AP03N70F
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内容描述: N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 86 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP03N70F
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
V
GS
= 0V时,我
D
=1mA
ΔBV
DSS
/ΔT
j
分钟。
/-
/A
/H
600
650
700
-
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
0.6
-
-
2
-
-
-
11.4
3.1
4.2
8.4
6
17.7
5.9
600
45
4
MAX 。单位
-
-
-
-
3.6
4
-
10
100
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V
V
V/℃
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=1mA
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=150
o
C)
V
GS
= 10V ,我
D
=1.6A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ,我
D
=1.6A
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
=480V
,
V
GS
=0V
V
GS
=
±
30V
I
D
=3.3A
V
DS
=480V
V
GS
=10V
V
DD
=300V
I
D
=3.3A
R
G
=10Ω,V
GS
=10V
R
D
=91Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
3
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
注意事项:
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Starting牛逼
j
=25
o
C,V
DD
= 50V ,L = 15MH ,R
G
=25Ω , I
AS
=3.3A.
3.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
参数
连续源电流(体二极管)
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.5V
T
j
=25℃, I
S
= 3.3A ,V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
3.3
13.2
1.5
A
A
V
脉冲源电流(体二极管)
1
正向电压上
3
订购代码
AP03N70F- X:X表示BV
DSS
GRADE
空白= BV
DSS
600V
A
H
= BV
DSS
650V
= BV
DSS
700V