欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP03N70H-A-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP03N70H-A-HF图片预览
型号: AP03N70H-A-HF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小: 4 页 / 102 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP03N70H-A-HF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP03N70H-A-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP03N70H-A-HF的Datasheet PDF文件第3页  
AP03N70H/J-A-HF
16
10000
f=1.0MHz
V
GS
,门源电压( V)
I
D
=3.3A
V
DS
=480V
12
C
国际空间站
C( pF)的
8
100
C
OSS
4
C
RSS
0
0
4
8
12
16
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
DUTY=0.5
10
归热响应(R
thJC
)
0.2
100us
I
D
(A)
1
0.1
0.05
0.02
1ms
10ms
0.1
0.01
P
DM
t
单脉冲
0.1
T
c
=25
o
C
单Plude
0.01
1
10
100
100ms
DC
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
1000
10000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
Fig9 。最大安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4