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AP02N90H 参数 Datasheet PDF下载

AP02N90H图片预览
型号: AP02N90H
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 44 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP02N90H/J
2.0
1.25
T
C
=25
o
C
1.6
I
D
,漏电流( A)
1.2
I
D
,漏电流( A)
10V
8.0V
6.0V
5.0V
T
C
=150
o
C
1.00
10V
8.0V
6.0V
5.0V
V
G
=4.5V
0.75
0.8
0.50
0.4
V
G
=4.5V
0.25
0.0
0.00
0
3
6
9
12
15
18
0
3
6
9
12
15
18
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
2.8
2.4
1.1
归BV
DSS
(V)
归一化ř
DS ( ON)
2.0
I
D
= 0.85 A
V
G
=10V
1.6
1.0
1.2
0.8
0.9
0.4
0.8
-50
0
50
100
150
0.0
-50
0
50
100
150
结温(
o
C)
T
j
,结温(
o
C )
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
2.0
1.6
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.5
归V
GS ( TH)
(V)
T
j
=150
o
C
I
S
(A)
1.0
T
j
=25
o
C
1.2
0.8
0.5
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.4
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温