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AP02N60P-A-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP02N60P-A-HF图片预览
型号: AP02N60P-A-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 62 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP02N60P-A-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
100%的雪崩测试
快速开关特性
简单的驱动要求
符合RoHS &无卤
G
D
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
TO-220
650V
2A
描述
在TO- 220封装,广泛首选的所有商业,工业
应用程序。该装置适合用于DC-DC , DC-AC转换器,用于
通信,工业和消费环境。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
2
等级
650
+30
2
1.26
6
39
0.31
64
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
3.2
62
单位
℃/W
℃/W
1
201305093
数据&规格如有变更,恕不另行通知