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AP02N60I_08 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AP02N60I_08
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 114 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP02N60I
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
100%的雪崩测试
快速开关
简单的驱动要求
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
600V
2A
描述
在TO- 220CFM包广首选的所有commercial-
工业应用。该装置适合于开关模式电源
用品, AC-DC转换器和大电流高速开关
电路。
GD
S
TO-220CFM(I)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
E
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
2
雪崩电流
重复性雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
等级
600
±
30
2
1.26
3.6
22
0.176
80
2
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
mJ
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻,结案件
最大热阻,结到环境
价值
5.7
62
单位
℃/W
℃/W
1
200806054
数据&规格如有变更,恕不另行通知