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AP02N40K-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP02N40K-HF图片预览
型号: AP02N40K-HF
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内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
文件页数/大小: 4 页 / 100 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP02N40K-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
100%的雪崩测试
快速开关特性
简单的驱动要求
符合RoHS &无卤
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
400V
5.5Ω
0.45A
S
D
S
D
SOT-223
G
描述
AP02N40采用坚固耐用的设计,快速的最佳组合
开关和成本效益。
采用SOT - 223封装是专为suface安装的应用程序,大
散热器比SO -8和SOT封装。
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
E
AS
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
400
+30
0.45
0.35
1.8
2.7
2
单位
V
V
A
A
A
W
mJ
总功耗
单脉冲雪崩能量
存储温度范围
工作结温范围
0.5
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻,结到环境
4
价值
45
单位
℃/W
1
201004301
数据&规格如有变更,恕不另行通知