欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

AP01L60T-H-HF 参数 Datasheet PDF下载

AP01L60T-H-HF图片预览
型号: AP01L60T-H-HF
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 86 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
 浏览型号AP01L60T-H-HF的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AP01L60T-H-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号AP01L60T-H-HF的Datasheet PDF文件第3页  
AP01L60T-H-HF
12
1000
f=1.0MHz
V
GS
,门源电压( V)
10
I
D
= 100米
V
DS
= 480 V
C
国际空间站
100
8
6
C( pF)的
C
OSS
10
4
C
RSS
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
0.20
1.2
I
D
,漏电流( A)
0.15
0.8
0.10
P
D
(W)
0.4
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
0.05
0.00
T
A
,外壳温度(
o
C)
T
A
,外壳温度( C)
o
图9.最大漏极电流V.S.
图10.典型功耗
外壳温度
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
Q
GD
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4