AP01L60T_08 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP01L60T_08
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 98 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP01L60T

1.5

1.00

=25

，漏电流（ A）

10V

6.0V

5.5V

5.0V

=150 C

0.75

10V

5.0V

1.0

4.5V

0.50

0.5

=4.0V

0.25

0.0

0.00

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

1.2

3.0

2.4

=0.5A

=10V

归BV

DSS

(V)

1.1

归一化ř

DS （ ON）

1.8

1.2

0.9

0.6

0.8

-50

100

150

0.0

-50

100

150

，结温（ C）

图3.归BV

DSS

V.S.连接点

温度

3.6

图4.归一导通电阻

V.S.结温

3.2

GS （ TH）

(V)

(A)

2.8

= 150 C

0.1

= 25 C

2.4

0.01

0.4

0.8

1.2

1.6

-50

100

150

，源极到漏极电压（V ）

，结温（ C）

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

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