AP01L60J 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AP01L60J
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内容描述：	N沟道增强型功率MOSFET [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
文件页数/大小：	4 页 / 64 K
品牌：	A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]

AP01L60H/J

1.5

1.0

=25

，漏电流（ A）

1.0

，漏电流（ A）

10V

6.0V

5.5V

5.0V

=150 C

0.8

10V

5.0V

4.5V

0.5

=4.5V

0.3

=4.0V

0.0

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

1.2

=0.5A

=10V

归BV

DSS

(V)

1.1

归一化ř

DS （ ON）

0.9

-50

100

150

-50

100

150

，结温（ C）

图3.归BV

DSS

V.S.连接点

温度

3.5

图4.归一导通电阻

V.S.结温

3.0

= 150 C

= 25 C

GS （ TH）

(V)

2.5

2.0

1.6

-50

(A)

0.1

0.01

0.4

0.8

1.2

100

150

，源极到漏极电压（V ）

，结温（

C )

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

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