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AP03N70F 参数 Datasheet PDF下载

AP03N70F图片预览
型号: AP03N70F
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内容描述: N沟道增强模式 [N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 86 K
品牌: A-POWER [ ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP. ]
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AP03N70F
f=1.0MHz
16
10000
I
D
=3.3A
14
V
DS
=480V
V
GS
, Gate to Source Voltage (V)
12
Ciss
10
8
C (pF)
100
6
Coss
4
Crss
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
, Total Gate Charge (nC)
V
DS
(V)
Fig 9. Gate Charge Characteristics
Fig 10. Typical Capacitance Characteristics
100
5
4
10
T
j
= 150
o
C
T
j
= 25
o
C
1
3
V
GS(th)
(V)
I
S
(A)
2
0.1
1
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
1.3
1.5
0
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
T
j
, Junction Temperature ( C)
o
Fig 11. Forward Characteristic of
Reverse Diode
Fig 12. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature