高动态范围FET混频器
HMJ9
通信EDGE
™
高级产品信息
产品特点
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+35 dBm的IIP3
•
无需外部匹配元件
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产品说明
该HMJ9是一种高动态范围,砷化镓场效应管
混频器。作为上变频器,这种有源FET混频器
实现了一个典型的三阶截取点
+35 dBm的在+17 dBm的LO驱动电平。该
HMJ9采用的是低成本, J引线封装。
典型的应用包括频率上/下
用于转换为接收机和发射机
在蜂窝通信系统中。
工作原理图
22 21 2019 18171615 1413 12
需要
RF 860-900兆赫
LO 1140至1160年兆赫
IF 250-280兆赫
+17 dBm的驱动电平
+ 3V的偏置(23 mA)的
低成本表面贴装J引线
包
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
功能引脚号功能引脚号
地
1
地
12
IF
2
LO
13
地
3-9
地面14-20
+ 3V直流
10
RF
21
地
11
地
22
特定网络阳离子
参数
频率范围:
RF
LO
IF
SSB变频损耗
噪声系数
隔离:
LO-RF
LO -IF
IF- RF
IIP3
回波损耗:
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
最低
860
1140
250
8.5
11
18
40
32
20
50
25
35
10
9
15
23
17
23
典型
最大
900
1160
280
9.3
条件
RF = 900兆赫(为0dBm )
35
试验条件下,除非另有说明:RF = 900兆赫( -10 dBm的) ,劳= 830兆赫(17 dBm的) , IF = 70兆赫和25 ℃。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-65到+ 100°C
25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ9
HMJ9-PCB
描述
高动态范围FET混频器
(可在磁带和卷轴)
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
WJ通讯公司
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2000年12月