高动态范围FET混频器
HMJ8
通信EDGE
™
产品特点
•
+37 dBm的IIP3
•
无需外部匹配元件
•
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•
•
•
•
产品说明
该HMJ8是一种高动态范围，砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
的+37 dBm的以三阶截点
+18 dBm的LO驱动电平。该HMJ8来
在一个低成本， J引线封装。典型应用
系统蒸发散包括频率上/下变频，
调制和解调的接收机和
在通信系统中使用的发射机。
工作原理图
18 17 16 15 14 13 12 11 10
需要
RF 2200-2300兆赫
LO 2160至60年兆赫
IF 50-150兆赫
+18 dBm的驱动电平
+ 3V的偏置（22 mA）的
低成本表面贴装J引线
包
1 2 3 4 5 6 7 8 9
功能引脚号功能引脚号
地
1
地
10
IF
2
LO
11
地
3-7
地面12-16
+ 3V直流
8
RF
17
地
9
地
18
特定网络阳离子
参数
频率范围：
RF
LO
IF
SSB变频损耗
噪声系数
隔离：
LO-RF
LO -IF
RF- IF
IIP3
回波损耗：
RF端口
LO端口
如果port
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
最低
2200
2060
50
8
10.5
22
22
32
27
30
15
37
11
8.5
14
23
18
22
典型
最大
2300
2160
150
9.0
条件
35
试验条件除非另有说明： RF = 2250兆赫（ -10 dBm的） ， LO = 2110兆赫（ 18 dBm的） ， IF = 140 MHz和25℃。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
最大输入功率
等级
-40至+ 85°C
-65到+ 100°C
25 dBm的
订购信息
产品型号
HMJ8
HMJ8-PCB
描述
高动态范围FET混频器
（可在磁带和卷轴）
完全组装的应用电路
1.操作这个设备上面这些参数可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率2.总和不得超过25 dBm的。
WJ通讯公司
•电话： 1-800 - WJ1-4401 •传真： 408-433-5649 •电子邮件： sales@wj.com•网站： www.wj.com
2000年9月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
