高动态范围FET混频器
HMJ5
通信EDGE
TM
产品信息
工作原理图
RF
LO
产品特点
x
+35 dBm的IIP3
x
无需外部匹配元件
需要
x
RF 40 - 1000兆赫
x
LO 30 - 900兆赫
x
如果在5 - 250兆赫
产品说明
该HMJ5是高动态范围的砷化镓场效应管
混频器。这种有源FET混频器实现了一个典型的
+35 dBm的以LO三阶截点
推动+17 dBm的水平。该HMJ5采用的是
成本低，J引脚封装。典型应用
包括
频率
上/下
转换，
调制和解调的接收机和
在通信系统中使用的发射机。
x
+17 dBm的LO驱动电平
+3Vdc
IF
x
+ 3V的35毫安直流电源
x
低成本表面贴装J引线
包
功能
IF
LO
RF
+3V
地
PIN号
2
13
21
10
所有其他引脚
特定网络阳离子
(1)
参数
RF频率范围
LO频率范围
IF频率范围
SSB变频损耗
噪声系数
LO-RF隔离
LO- IF隔离
输入IP3
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
输入P1dB为
LO驱动电平
在+ 3V直流偏置电流
单位
兆赫
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
dB
dB
dB
DBM
DBM
mA
民
典型值
40 – 1000
30 – 900
5 – 250
7.5
9.5
28
30
35
11.7
6.0
10.9
+23
+17
35
最大
条件
9.0
20
24
31
RF = 900 MHz的@ 0 dBm的
60
注意事项：
1.测试条件除非另有说明： 25 ºC ， RF = 905 MHz的@ -10 dBm时， LO = 900MHz的@ +17 dBm时， IF = 5兆赫。
2.测在一个50欧姆的系统以额定的LO驱动器中仅除非另外指明，下变频器的应用程序。
F | 3. LO频率必须从IF频率由至少2兆赫（即分开
LO =
F
IF
|
绝对最大额定值
工作温度
储存温度
最大输入功率
参数
-40至+85
qC
-65到+100
qC
+25 dBm的
等级
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
LO端口和RF端口功率的总和不得超过25 dBm的。
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
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订购信息
HMJ5
HMJ5-PCB
产品型号
高动态范围FET混频器
完全组装的应用电路
描述
网站： www.wj.com
第1页3 2006年3月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
