FP31QF
2瓦HFET
通信EDGE
TM
产品信息
应用电路： 1930年至1960年兆赫（ FP31QF - PCB1900 ）
应用电路被匹配为输出功率。
典型的射频性能
漏极偏置= 9 V，I
ds
= 450毫安， 25
°
C
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
（ +18 dBm的/音， 1 MHz的间距）
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
DBM
1930
14
-17
-11
+33.5
1960
13.8
-21
-11
+33.8
+46.8
1990
13.8
-27
-13
+33.8
噪声系数
IS- 95信道功率
@ -45 dBc的ACPR
4.3
4.5
+27.3
4.4
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C4, C8, C10
C2
C3
C7, C11
C12
L1, L2
L3
R1
R2
Q1
C5, C6
•
•
•
•
价值
22 pF的
2.2 pF的
2.0 pF的
1000 pF的
0.1
µF
12 nH的
4.7 nH的
5.1
51
FP31QF
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
绕线片式电感
多层片式电感器
贴片电阻
贴片电阻
WJ 2W HFET
不要将
SIZE
0603
0603
0603
0603
1206
0805
0603
0603
0603
QFN 6x6的
C2
C3
电路板材料： 0.014 “ FR- 4 （ ε
r
= 4.6),
4层（其它层增加了刚性） ， 0.062 “总厚度1盎司纯铜
主微带线具有50的线阻抗。
在C2和C3存款是在丝印标记“B”和“3”分别。
沿着主微带线的通孔间距为0.040 “ 。
从FP31QF到L3的更靠近边缘的边缘的距离为0.305 “ 。
在示意性示出的传输线长度是从FP31QF
装置边缘到组件的边缘。
ID=C8
C = 22 pF的
ID=C7
C = 1000 pF的
-Vgg
VDS = 9V @ 450毫安
ID=C12
C = 1E5 pF的
ID=R2
R = 51欧姆
ID=C11
C = 1000 pF的
ID=C10
C = 22 pF的
ID=C1
C = 22 pF的
ID=L3
L = 4.7 nH的
TLINP
ID=TL1
Z0 = 50欧姆
L = 190万
Eeff=3.46
Loss=0
F0 = 0兆赫
ID=L1
L = 12 nH的
NET="FP31QF"
2
ID=L2
L = 12 nH的
ID=C4
C = 22 pF的
1
ID=R1
R = 5.1欧姆
ID=C2
C = 2.2 pF的
TLINP
ID=TL2
Z0 = 50欧姆
L = 200万
Eeff=3.46
Loss=0
F0 = 0兆赫
ID=C3
C = 2 pF的
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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第5页12 2006年10月
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