FP1189
�½ - Watt HFET
产品信息
参考设计： 2450兆赫
应用电路被匹配为输出功率。
典型的射频性能，25°C
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
（ +12 dBm的/音， 1 MHz的间距）
S-参数
15
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
2200
2300
2400
2500
频率（MHz）
2600
2700
DB(|S[1,1]|)
DB(|S[2,1]|)
DB(|S[2,2]|)
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
V
mA
2450
13.2
-36
-7.6
+27.5 +28.1
+38
+8
100
+40
+8
125
2450
漏极电压
漏电流
在2450 MHz的参考电路如图仅作为设计目的。一
评估板是不容易获得这种应用。读者可以
获得FP1189 - PCB2140S评估板和电路修改
示以实现在该参考设计中所示的性能。只有两个
成分的变化是从FP1189 - PCB2140S要求（ C4和L3 ）
评估板。
VDS = 8 V @ 125毫安
-Vgg
水库
ID=R1
R = 100欧姆
帽
ID=C3
C = 33 pF的
帽
ID=C8
C = 100000 pF的
帽
ID=C6
C = pF的DNP
帽
ID=C7
C = 22 pF的
帽
ID=C2
C = pF的DNP
PORT
P= 1
Z = 50欧姆
帽
ID=C1
C = 22 pF的
IND
ID=L1
L = 18 nH的
TLINP
ID=TL1
Z0 = 50欧姆
L = 135万
Eeff=4.2
Loss=0
F0 = 0兆赫
水库
ID=R2
R = 10欧姆
1
2
TLINP
ID=TL3
Z0 = 50欧姆
L = 80万
Eeff=4.2
LOSSΩ
0
F0 = 0兆赫
IND
ID=L3
L = 1.8 nH的
TLINP
ID=TL4
Z0 = 50欧姆
L = 35万
Eeff=4.2
LOSSΩ
0
F0 = 0兆赫
IND
ID=L2
L = 18 nH的
PORT
P= 2
Z = 50欧姆
帽
ID=C4
C = 1.2 pF的
TLINP
I D = TL2
ž = 0欧姆
50
L = 45万
Eeff=4.2
LOSSΩ
0
f 0的兆赫=
0
帽
ID=C5
C = 0.5 pF的
SUBCKT
ID ↓
Q1
网。
"FP1189"
帽
ID ↓
C7
C = 22 pF的
在微带线中所示的长度从组件或针边到边引用。
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C7, C9
C3
C4
C5
C8
L1, L2
L3
R1
R2
Q1
C2, C4, C6, C11
价值
22 pF的
33 pF的
1.2 pF的
0.5 pF的
0.1
µF
18 nH的
1.8 nH的
100 O
10 O
FP1189
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
多层片式电感器
多层片式电阻
贴片电阻
贴片电阻
WJ 0.5W HFET
不要将
SIZE
0603
0805
0603
0603
1206
0603
0603
0603
0603
SOT-89
C4
14万GETEK
TM
ML200DSS （E
r
= 4.2)
主微带线具有50 O.线路阻抗
规格和信息如有变更，恕不另行通知。
WJ通信公司
•
电话1-800- WJ1-4401
•
传真： 408-577-6621
•
电子邮件： sales@wj.com
•
网站： www.wj.com
2004年9月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
