FP1189
�½ - Watt HFET
产品信息
应用电路: 1930年 - 1990兆赫( FP1189 - PCB1900S )
应用电路被匹配为输出功率。
典型的射频性能
漏极偏置= 8 V,I
ds
= 125毫安, 25℃
频率
S21 - 增益
S11 - 输入回波损耗
S22 - 输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
( +12 dBm的/音, 1 MHz的间距)
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
DBM
1930
15.8
-26
-9.2
+27.4
1960
15.7
-26
-9.6
+27.2
+40.4
3.7
+20.8
1990
15.5
-24
-9.0
+27.4
噪声系数
IS- 95信道功率
@ -45 dBc的ACPR
帽
帽
帽
ID = C4
ID = C10
ID = C3
C = 33 pF的C = DNP pF的C = pF的DNP
-Vgg
VDS = 8 V @ 125毫安
帽
ID=C11
C = 1E5 pF的
帽
ID=C12
C = pF的DNP
水库
ID=R1
R = 100欧姆
帽
ID = C13
C = pF的DNP
帽
ID = C2
C = pF的DNP
IND
ID = L1
L = 22 nH的
帽
ID = C8
C = pF的DNP
帽
ID = C7
C = pF的DNP
帽
ID = C6
C = 33 pF的
IND
ID = L3
L = 22 nH的
SUBCKT
ID = Q1
NET = "FP1189"
2
PORT
P=1
Z = 50欧姆
帽
ID=C1
C = 33 pF的
IND
ID=L2
L = 2.7 nH的
帽
ID=C9
C = 33 pF的
PORT
P=2
Z = 50欧姆
1
帽
ID = C15
C = 1.8 pF的
帽
ID=C13
C = pF的DNP
水库
ID = R2
R = 10欧姆
帽
ID = C5
C = 0.5 pF的
材料清单
参考文献。 DESIG 。
C1, C4, C6, C9
C5
C11
C15
L1, L3
L2
R1
R2
Q1
C2, C3, C7, C8,
C10, C12, C13, C14
价值
33 pF的
0.5 pF的
0.1
µF
1.8 pF的
22 nH的
2.7 nH的
100 O
10 O
FP1189
部分款式
贴片电容
贴片电容
贴片电容
贴片电容
多层片式电感器
多层片式电感器
贴片电阻
贴片电阻
WJ 0.5W HFET
不要将
SIZE
0603
0603
1206
0603
0603
0603
0603
0603
SOT-89
14万GETEKTM ML200DSS ( ER = 4.2 )
主微带线具有50 O.线路阻抗
规格和信息如有变更,恕不另行通知。
WJ通信公司
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2004年9月