ECP052
产品特点
•
800 - 1000兆赫
•
28.5 dBm的P1dB为
•
+44 dBm的输出IP3
•
18分贝增益@ 900 MHz的
•
单正电源( + 5V )
•
采用SOIC - 8或16针
4mm QFN封装
通信EDGE
TM
产品信息
�½ Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier
产品说明
该ECP052是一款高动态范围驱动放大器
一个低成本的表面贴装型封装。该InGaP /砷化镓
HBT的是能够实现高性能关于各种
高达+44窄带调谐电路的应用
dBm的OIP3和+28.5 dBm的压缩1分贝力量。它
坐落在一个工业标准SOIC- 8或16针
采用4x4mm QFN SMT封装。所有器件100 %的RF
和DC测试。
的ECP052是针对于用作驱动器放大器中
无线基础设施需要高线性度和媒体
电源是必需的。一个内部有源偏置允许
ECP052保持高线性度随温度和
直接操作是落单+ 5V电源。
这
组合使该器件的理想选择,
在当前和下一代收发器线路卡
多载波3G基站。
工作原理图
VBIAS
N / C
16
VREF 1
N / C 2
RF IN 3
N / C 4
5
N / C
6
N / C
7
N / C
8
N / C
15
N / C
14
N / C
13
12 N / C
11 RF OUT
10 RF OUT
9 N / C
ECP052D
VREF 1
8
VBIAS
应用
•
最后阶段放大器
中继器
•
移动基础设施
N / C 2
7
RF OUT
RF IN 3
6
RF OUT
N / C 4
5
N / C
ECP052G
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输出P1dB为
输出IP3
(2)
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
(2)
IS- 95A信道功率
@ -45 dBc的ACPR ,1960兆赫
单位最小值
兆赫
兆赫
dB
DBM
DBM
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
V
200
800
15.5
+27
+42.5
15.5
典型值
850
17
+28
+44
900
17.8
18
7
+28.7
+43
+23
7
250
+5
最大
1000
+27
+42.5
噪声系数
工作电流范围,国际商会
(3)
器件电压, Vcc的
300
1.测试条件除非另有说明: 25℃ , V供电= + 5V ,在调整应用电路。
2.测量3OIP两个音在+11 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.这对应于小信号条件下,静态电流或工作电流到销6 ,图7和8,可以预料,该电流可以通过在P1dB的额外50毫安增加。销1被用作一个
参考电压为内部偏置电路。据预计, 1脚将拉动当前12毫安与R1 = 100Ω一系列偏置电阻使用时。 (即设备总电流通常会262毫安。 )
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
RF输入功率(连续)
器件电压
器件的电流
设备电源
-40至+85
°C
-65到+150
°C
+28 dBm的
+8 V
400毫安
2W
订购信息
产品型号
ECP052D
ECP052G
ECP052D-PCB900
ECP052G-PCB900
等级
描述
�½ Watt InGaP HBT Amplifier (16p 4mm Pkg)
�½ Watt InGaP HBT Amplifier (SOIC-8 Pkg)
900 MHz的评估板
900 MHz的评估板
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
规格和信息如有变更,恕不另行通知
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2004年8月