ECG055
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
通信EDGE
TM
产品信息
的InGaP HBT增益模块
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ,R
BIAS
= 18
:,
I
cc
= 65毫安
100
20.2
-36
-23
+18.2
+33
3.4
500
20.1
-30
-23
+18
+33.5
4.6
¡
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
900
19.7
-27
-23
+18.1
+34.5
4.5
1900
18.5
-22
-21
+18.2
+33.5
4.3
¡
2140
18.2
-22
-20
+17.8
+32.9
4.2
2400
17.8
-22
-20
+17.8
+32
4.2
3500
16.2
-24
-17
+17.2
5800
14
-21
-11
1.测试条件: T = 25° C,电源电压= 6 V,器件电压= 4.8 V , Rbias两端= 18 ,电流Icc = 65 mA典型, 50系统。
2.测量3OIP两个音在+4 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP : 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
25
20
S11 ,S22 ( dB)的
S21(dB)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
频率(GHz )
OIP3与频率的关系
40
35
OIP3 ( dBm的)
NF( dB)的
30
25
20
1
S11 , S22与频率的关系
0
-5
ICC
-10
-15
-20
-25
5
6
0
1
2
3
4
频率(GHz )
5
6
S11
S22
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
1.0
ICC与VDE
2.0
3.0
VCC
4.0
5.0
6.0
噪声系数与频率的关系
6
5
4
3
P1dB的( DBM)
18
20
的P1dB与频率的关系
16
25°
C
1
-40°
C
85°
C
4
25°
C
-40°
C
85°
C
4
2
3
频率(MHz)
2
500
1000
1500
2000
2500
3000
14
频率(MHz)
2
3
频率(MHz)
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十二月2004⏐