ECG055C
的InGaP HBT增益模块
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ，R
BIAS
= 18
Ω
, I
cc
= 65毫安
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
20.3
-35
-23
+18.2
+33
3.4
500
20.1
-35
-23
+18
+33.5
3.6
900
19.7
-26
-22
+18.1
+34.5
3.4
1900
18.2
-22
-21
+18.2
+33.5
3.4
2140
17.9
-22
-21
+17.8
+32.9
3.4
2400
17.6
-22
-20
+17.8
+32
3.8
3500
16.1
-24
-17
+17.2
5800
13.7
-21
-11
1.测试条件： T = 25 ºC ，电源电压= 6 V，器件电压= 4.8 V ， Rbias两端= 18
Ω,
ICC = 65 mA典型， 50
Ω
系统。
2.测量3OIP两个音在+4 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
收益
22
20
S11 ，S22 （ dB）的
增益（dB ）
18
16
14
12
0
S11
-10
-20
-30
-40
回波损耗
160
ICC与VDE
S22
120
ICC （MA ）
80
40
25°C
0
4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6 5.8 6.0
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
OIP3与频率的关系
40
35
OIP3 （ dBm的）
30
25
2.5
5.0
4.5
4.0
频率（GHz ）
噪声系数
20
VDE （ V）
的P1dB与频率的关系
3.5
3.0
25°C
20
1
-40°C
85°C
4
P1dB的（ DBM）
18
NF（ dB）的
16
25°C
14
-40°C
85°C
4
2
3
频率（MHz）
2.0
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
1
频率（MHz）
2
3
频率（MHz）
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2007年4月
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