ECG006
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
的InGaP HBT增益模块
典型的射频设备的性能
供应偏压= + 5V ，R
BIAS
= 24.3
Ω
, I
cc
= 45毫安
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
15.3
-20
-29
+15.8
+31
3.8
500
15.2
-18
-16
+15.4
+31.5
3.7
900
15.1
-14
-13
+15.2
+32
3.6
1900
14.5
-17
-14
+15.0
+30
3.6
2140
14.3
-18
-14
+14.9
+30
3.6
2400
14.1
-20
-15
+14.6
+29.6
3.6
3500
13.9
-17
-15
+14
5800
10.2
-12.5
-9.5
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= + 5V ，器件电压= 3.9 V， Rbias两端= 24.3
Ω,
ICC = 45 mA典型， 50
Ω
系统。
2.测量3OIP两个音在+2 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
18
16
S11 ，S22 （ dB）的
收益
14
12
10
+25C
8
500
1000
-40C
+85C
-25
1500
2000
频率（MHz）
2500
3000
0
1
0
-5
-10
-15
-20
S11 ， S22与频率的关系
90
80
70
60
50
40
30
20
10
+25C
VDE与电流Icc
S22
S11
ICC （MA ）
5
6
2
3
4
频率（GHz ）
0
3.00 3.20 3.40 3.60 3.80 4.00 4.20 4.40
VDE （ V）
OIP3与频率的关系
35
30
OIP3 （ dBm的）
NF（ dB）的
25
20
+25°C
15
500
1000
-40°C
+85°C
2500
3000
2
500
4
3.5
3
2.5
噪声系数与频率的关系
18
16
P1dB的（ DBM）
14
12
10
的P1dB与频率的关系
+25°C
1000
1500
2000
8
500
1000
-40°C
+85°C
2500
3000
1500
2000
频率（MHz）
频率（MHz）
1500
2000
频率（MHz）
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第7 2 2007年4月
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