ECG005
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
的InGaP HBT增益模块
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ，R
BIAS
= 18
Ω
, I
cc
= 65毫安
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
22.5
-29.5
-31
+17.5
+33.6
5.4
500
22.5
-28
-22
+17.8
+33.5
5.3
900
22.2
-25
-17.5
+18
+34
3.5
1900
21.5
-19.5
-11.2
+17.6
+32
3.3
2140
21.3
-18
-10.3
+17.3
+31.5
3.3
2400
21.1
-16.9
-9.5
+17.1
+31
3.3
3500
20.2
-14.2
-6.7
+16
5800
17.2
-8.2
-3
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= 6 V，器件电压= 4.8 V ， Rbias两端= 18
Ω,
ICC = 65 mA典型， 50
Ω
系统。
2.测量3OIP两个音在+4.5 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
小信号增益
25
0
回波损耗（分贝）
-5
-10
-15
-20
-25
-30
0.5
S11 S22 &
25°C
ICC VS VDE
160
140
120
ICC （MA ）
23
增益（dB ）
21
19
17
15
0.5
100
80
60
40
20
0
25°C
25°C
-40°C
85°C
S11
S22
2.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
2.5
1.5
频率（GHz ）
噪声系数与频率的关系
0
1
2
VDE （ V）
3
4
5
6
OIP3与频率的关系
40
35
OIP3 （ dBm的）
30
25
25°C
20
0.5
1
-40°C
1.5
频率（GHz ）
85°C
2
2.5
2
0.5
NF（ dB）的
6
5
4
3
的P1dB与频率的关系
24
P1dB的（ DBM）
20
16
25°C
-40°C
85°C
2
2.5
1
1.5
频率（GHz ）
2
12
0.5
1
1.5
频率（GHz ）
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第4 2 2007年4月
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