ECG002
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
的InGaP HBT增益模块
典型的射频设备的性能
供应偏压= + 5V ，R
BIAS
= 24
Ω
, I
cc
= 45毫安
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21
-18
-17
+15.4
+28
3.9
500
20.6
-17
-17
+15.6
+28
3.8
900
20
-17
-18
+15.5
+29
3.8
1900
19.5
-15
-20
+15
+29
3.8
2140
18.7
-15
-21
+15
+29
3.8
2400
18.2
-15
-22
+15
+29
3.9
3500
16.4
-16
-35
+14.5
5800
13.3
-19
-16
+11
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= + 5V ，器件电压= 3.9 V， Rbias两端= 24
Ω,
ICC = 45 mA典型， 50
Ω
系统。
2.测量3OIP两个音在-1 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
22
20
S11 ，S22 （ dB）的
S11 ， S22与频率的关系
0
-5
-10
-15
ICC （MA ）
-20
-25
-30
-35
-40
3000
0
1
2
3
4
频率（GHz ）
5
6
S22
60
40
20
0
3.00
120
100
VDE与电流Icc
增益（dB ）
S11
80
+25C
18
16
14
+25C
12
500
1000
-40C
+85C
2500
1500
2000
频率（MHz）
3.20
3.40
3.60
3.80
4.00
4.20
4.40
VDE （ V）
OIP3与频率的关系
32
30
OIP3 （ dBm的）
噪声系数与频率的关系
4.5
4
3.5
3
2.5
P1dB的（ DBM）
NF（ dB）的
20
18
16
14
12
的P1dB与频率的关系
28
26
+25C
24
500
1000
1500
-40C
2000
+85C
2500
3000
+25C
2
500
1000
1500
频率（MHz）
2000
10
500
1000
-40C
+85C
2500
3000
频率（MHz）
1500
2000
频率（MHz）
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第7 2 2007年4月
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