EC1078
的InGaP HBT增益模块
推荐应用电路（ EC1078B -PCB ）
VCC
ICC = 96毫安
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 µF
L1
RF扼流圈
RF OUT
EC1078B
C1
闭塞
电容
R1
6
Ω
R2
6
Ω
C2
闭塞
电容
在RF
参考
代号
L1
C1, C2, C3
50
820 nH的
.018 µF
推荐元件值
频率（MHz）
500
900
1900
2200
220 nH的
68 nH的
27 nH的
22 nH的
1000 pF的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2，上表中的元件值低于包含评估板，以达到最佳的宽带
性能。
3. R1和R2所示的电路图中，以避免潜在的不稳定性。以上保证所示的结构
无条件稳定性与使用该设备的。据预计，线性参数（OIP3和P1dB的），以
降低大约只有0.5分贝，而总增益将是约1dB比在页面1和2的示出的性能更少
将该数据资料。预期的输入和输出回波损耗改善与在2GHz用的I / O的串联电阻的。
推荐偏置电阻值
供应
R偏压值
SIZE
电压
7V
14.6欧姆
1210
8V
25欧姆
1210
9V
35欧姆
2010
10 V
46欧姆
2010
12 V
67欧姆
2512
对于R偏压的合适的值是依赖于
电源电压和允许通过偏置稳定性
温度。 WJ建议最低供应偏
+7五，建议使用1 ％容差电阻。
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
R2
R3
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
µF
贴片电容
不要将
6
Ω
贴片电阻
6
Ω
贴片电阻
14
Ω
1 ％容差
SIZE
0603
0603
0603
0603
0603
2010
典型的器件S参数
S参数（V
设备
= 5.6 V，I
CC
= 96毫安， T为25℃ ，校准到装置引出）
频率（MHz ）
S11（ dB）的
S11 （ ANG）
S21 （ dB）的
S21 （ ANG）
S12 （ dB）的
S12 （ ANG）
S22 （ dB）的
S22 （ ANG）
50
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
-13.94
-13.75
-13.18
-12.31
-11.09
-9.97
-8.87
-7.79
-6.76
-5.72
-4.72
-3.91
-3.22
-3.83
-39.71
-77.85
-113.82
-148.03
-177.99
154.89
129.58
106.00
85.30
66.77
51.00
37.49
21.57
20.96
19.93
18.86
17.94
16.84
15.65
14.44
13.18
11.80
10.39
8.85
7.41
176.70
148.92
122.53
98.71
76.48
54.17
33.67
13.81
-5.36
-23.83
-41.03
-57.10
-71.74
-24.12
-23.37
-22.08
-20.68
-19.38
-18.50
-17.80
-17.41
-17.25
-17.22
-17.40
-17.84
-18.28
0.80
6.98
8.80
4.63
-1.93
-11.42
-21.55
-32.42
-43.17
-53.97
-64.41
-74.10
-83.92
-11.86
-11.69
-10.82
-9.54
-8.31
-7.34
-6.41
-5.63
-4.78
-4.07
-3.41
-2.93
-2.53
-4.93
-48.17
-90.17
-126.09
-158.11
173.96
148.41
125.43
105.05
86.50
70.24
56.07
43.40
器件的S参数可供下载过该网站在： http://www.wj.com
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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第4 3 2007年4月
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