EC1019C
的InGaP HBT增益模块
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ，R
BIAS
= 15
Ω
, I
cc
= 70毫安
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
21.0
-32.0
-23
+19.4
+33
3.3
500
20.5
-26.9
-24.4
+19.4
+33.2
2.9
900
19.7
-25.5
-17.2
+19.4
+33.6
2.9
1900
17.2
-19.9
-11.3
+19.5
+31
3.0
2140
16.7
-15.4
-12.2
+19.0
+31
3.0
2400
16.2
-12.7
-13.8
+18.8
+30.7
3.1
3500
13.8
-12.0
-12.2
+16.2
5800
10.7
-9.9
-11.3
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= 6 V，器件电压= 4.7 V， Rbias两端= 16.5
Ω,
ICC = 70 mA典型， 50
Ω
系统。
2.测量3OIP两个音在+4 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
S 1V 。 F q上权证
2秒重新ü N Y
S11 ， S22与频率的关系
ICC与VDE
160
120
2
5
S11 ，S22 （ dB）的
2
0
S21 （ dB）的
1
5
1
0
5
0
0
1
2
3
F q上权证（G Z）
再加利年小时
OIP3与频率的关系
40
35
0
-5
-15
-20
S11
ICC （MA ）
-10
S22
80
40
25°C
0
4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6 5.8 6.0
+ 5°C
2
4
5
6
-25
-30
0
1
2
3
4
5
6
频率（GHz ）
噪声系数与频率的关系
VDE （ V）
的P1dB与频率的关系
24
5
4
3
2
1
25°C
1000
1500
85°C
2000
-40°C
2500
3000
OIP3 （ dBm的）
30
25
20
500
NF
P1dB的（ DBM）
NF（ dB）的
20
16
25°C
85°C
-40°C
2500
3000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
频率（MHz）
12
500
1000
频率（MHz）
1500
2000
频率（MHz）
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第4 2 2007年4月
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