EC1019B
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
的InGaP HBT增益模块
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ，R
BIAS
= 15
Ω
, I
cc
= 70毫安
100
21.2
-23.7
-19.0
+19.4
+33
2.9
500
20.9
-21.5
-17.3
+19.4
+33.2
2.5
900
20.4
-19.2
-15.1
+19.4
+33.6
2.6
1900
18.5
-16.6
-10.6
+19.5
+31
2.8
2140
18.2
-16.9
-10.2
+19.0
+31
2.9
2400
17.6
-18.2
-10.2
+18.8
+30.7
3500
15.6
-11.2
-8.1
+16.2
5800
11.3
-9.5
-6.2
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= 6 V，器件电压= 4.7 V， Rbias两端= 16.5
Ω,
ICC = 70 mA典型， 50
Ω
系统。
2.测量3OIP两个音在+4 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
S21与频率
S11 ， S22与频率的关系
ICC与VDE
160
120
25
0
S11 ，S22 （ dB）的
-5
20
S21 （ dB）的
15
10
5
+25 °C
ICC （MA ）
-10
-15
-20
-25
S22
80
40
25°C
0
4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 5.0 5.2 5.4 5.6 5.8 6.0
S11
0
0
1
2
频率（GHz ）
OIP3与频率的关系
40
35
3
4
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
VDE （ V）
的P1dB与频率的关系
24
噪声系数与频率的关系
5
4
OIP3 （ dBm的）
3
2
1
30
25
20
500
25°C
1000
1500
85°C
2000
-40°C
2500
3000
NF
P1dB的（ DBM）
NF（ dB）的
20
16
25°C
85°C
-40°C
2500
3000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
频率（MHz）
12
500
1000
频率（MHz）
1500
2000
频率（MHz）
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第4 2 2007年4月
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