AP602
频率
总输出功率
功率增益
输入回波损耗
输出回波损耗
IMD3 @ +27 dBm的PEP
工作电流，电流Icc
收藏家EF网络效率
输出P1dB为
静态电流，ICQ
VPD ， V偏压
VCC
高动态范围4W 28V HBT放大器
2010-2025 MHz的应用电路
25典型性能
°C
在一个
的+27 dBm的输出功率
2015年兆赫
+27 dBm的
13.7分贝
12分贝
8.5分贝
-44 dBc的
110毫安
16.5 %
+36 dBm的
80毫安
+5 V
+28 V
GND
V
BIAS
V
PD
V
CC
C7
W = .030”
L = .980”
C7
1000pF
100pF
1000pF
L3
4.7 nH的
见注3
C27
10pF
C2
2.7pF
见注4
C30
2.4pF
见注5
注意事项：
1.主RF微带线是50
Ω.
2.对丝网印刷，但尚未在原理图上示出的组件不被使用。
3. L3的中心从C2的中心放置在0.095 “ （8.3 ° @ 2015兆赫） 。
4. C2的中心，从AP602 （U1）的边缘放置在0.135 “ （ 11.8 ° @ 2015兆赫） 。
5. C30的中心从AP602 （U1）的边缘放置在0.530 “ （ 50.9 ° @ 2015兆赫） 。
6.粗体字的RF走线的直流偏置饲料。短线的长度大约为1/4
λ.
7.主要的RF走线被切断元件位置L3为这个特殊的参考设计。
2010至2025年兆赫应用电路的性能曲线
增益与输出功率与温度的关系
CW信号， VCC = 28V ，ICQ = 80毫安， 2025兆赫
S11 ， S22与频率的关系
VCC = 28V ，ICQ = 80毫安， 25
˚C
效率与输出功率与温度的关系
CW信号， VCC = 28V ，ICQ = 80毫安， 2025兆赫
15
14
0
50
集热效率（ ％ ）
-40 ˚C
-5
40
30
20
10
0
25 ˚C
85 ˚C
S11 ，S22 （ dB）的
增益（dB ）
13
12
-40 ˚C
-10
-15
-20
-25
1.96
11
10
28
25 ˚C
85 ˚C
S11
S22
1.98
2
2.02
2.04
2.06
2.08
30
32
34
36
38
20
24
28
32
36
输出功率（dBm ）
频率（GHz ）
输出功率（dBm ）
ACLR与输出功率与Icq的
集热效率（ ％ ）
效率与输出功率
3载波TD-SCDMA ， VCC = 28V ，ICQ = 140毫安， 2020年兆赫
IMD与输出功率
CW 2音信号， 2015兆赫，
∆f
= 1兆赫， 28V ， 80毫安ICQ， 25
˚C
-40
-44
ACLR （ DBC）
3载波TD-SCDMA ， VCC = 28V ， 2015MHz
10
8
-40
-50
ICQ = 80毫安
Icq=100mA
3C- TDSCDMA ， PAR = 9.6分贝
@ 0.01 ％的概率， BW = 1.28MHz ，
样品CLK = 32 MHz的
智商国防部过滤= 2.1 MHz的
IMD3L
IMD3U
IMD5
6
4
2
0
IMD （ DBC）
-48
-52
-56
16
-60
-70
-80
18
20
22
24
平均输出功率（dBm ）
26
16
18
20
22
24
26
22
24
26
28
30
32
平均输出功率（dBm ）
输出功率， PEP （ DBM）
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第11 6 2007年5月第一版
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