AP501
通信EDGE
TM
产品信息
PCS波段4W HBT功率放大器模块
性能图 - AB类配置（ AP501 -PCB ）
该AP501 - PCB和AP501模块是默认配置为AB类。电阻 - R7 - 这台电流消耗
该放大器被设置为0
Ω
在这种配置。增加该值将减少的静态和工作电流
放大模块，所述的下一个页面上。
+12V
GND
+12V
10μF
DNP
+5V
DNP
0Ω
0Ω
DNP
100pF
.01μF
DNP
在RF
0Ω
DNP
DNP
6
.01μF
DNP
100pF
RF OUT
0Ω
注意事项：
1.请注意，运行可靠，评估板将有
被安装到一个更大的散热器工作期间和在实验室
环境中以消散由该装置所消耗的功率。利用
对流风扇还建议在实验室环境。
在WJ散热器用的安装孔的细节上给定的
该数据表的最后一页。
2.在PCB下方的模块周围的区域不应该包含任何
阻焊为了保持良好的RF接地。
3.对于在实验室中正确和安全的操作中，上电顺序
应为：
一。连接RF In和Out
B 。连接电压和接地引脚，如图中的电路。
Ç 。应用的RF信号
ð 。掉电用相反的顺序
5
4
3
2
1
DNP
DNP
窄带S参数
+25°C时，ICQ = 850毫安
PAE /国际商会与输出功率
0
-5
1 1 ， S 2的图2（d B）中
增益/输出功率与输入功率
25
20
P O u那样吨（ D B M）
15
10
5
0
P A E（ ％ ）
36
34
32
30
28
26
-6
-4
-2
0
2
4
6
输入功率（dBm ）
ACLR与信道功率
+ 25 ° C， 3GPP WCDMA， 1FA ， 1 + 32 DPCH ， ± 5 MHz偏移，1960兆赫，ICQ = 850毫安
33
32
S 2 1 （ D B ）
31
30
29
28
27
1930
1950
1970
1000
950
IC C（米A）
900
850
800
750
24
1960兆赫， 25 ℃下，ICQ = 850毫安
1960兆赫， 25 ℃下，ICQ = 850毫安
ICC
PAE
32.5
32
31.5
31
噘
收益
30.5
30
G A IN（ D B ）
28
S21
S11
S22
-10
-15
-20
-25
-30
1990
26
28
30
32
34
频率（MHz）
输出功率（dBm ）
ACPR与信道功率
IS- 95A ， 9个通道前进， 1FA ，1960兆赫，ICQ = 850毫安
宽带S参数
+25°C时，ICQ = 850毫安
40
米克正ITU D E （ D B ）
20
0
-20
-40
0
A C P R（ D B C）
A C L R （D B C ）
S21
S11
S22
-50
-60
-70
-80
-90
± 885千赫
± 1.25兆赫
-40
-40 C
-50
+25 C
+85 C
-60
-70
22
23
24
25
26
27
28
18
20
22
24
26
输出信道功率（dBm ）
输出信道功率（dBm ）
规格和信息如有变更，恕不另行通知
500
1000
1500
2000
2500
3000
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第5 2 2006年2月
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