�½ Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier
AH116
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
x
800 - 1000兆赫
x
+28 dBm的P1dB为
x
+43 dBm的输出IP3
x
17.5分贝增益@ 900 MHz的
x
+ 5V单正电源
x
MTTF >百年
x
无铅/绿色/符合RoHS标准
SOIC - 8贴片PKG 。
产品说明
该AH116是一款高动态范围驱动放大器的
低成本表面贴装封装。该InGaP /砷化镓HBT
能够实现高性能的各种窄
高达+43 dBm的OIP3波段调谐电路中的应用
和+28 dBm的压缩1 - dB的功率并装
在无铅/环保/ RoHS指令的SOIC -8封装。所有
设备是100％的RF和DC测试。
该产品是针对用作驱动放大器
无线基础设施需要高线性度和媒体
电源是必需的。内部有源偏置允许
AH116保持高线性度随温度和
直接操作过+5 V电源供电。这种组合
使该器件非常适合用于收发线
卡和功率放大器在当前和下一代
多载波3G基站。
工作原理图
1
8
7
6
5
2
3
4
应用
x
最后阶段放大器中继器
x
移动基础设施
功能
VREF
输入
产量
VBIAS
GND
N / C或GND
PIN号
1
3
6, 7
8
背面桨
2, 4, 5
特定网络阳离子
(1)
参数
频带
收益
输入R.L.
输出R.L.
输出P1dB为
输出IP3
(2)
IS- 95A信道功率
@ -45 dBc的ACPR
典型性能
(1)
民
15
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
V
典型值
900
17.5
18
7
+28.7
+43
+23
7
250
+5
最大
参数
频率
收益
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
(2)
IS- 95A信道功率
@ -45 dBc的ACPR
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
典型
900
17.5
-18
-7
+28.7
+43
+23
7
+ 5V @ 250毫安
+27
+42
噪声系数
工作电流范围
(3)
器件电压
200
300
噪声系数
供应偏置
1.测试条件除非另有说明： 25 ºC ， + 5V V供电， 900兆赫，在调整应用电路。
2.测量3OIP两个音在+13 dBm的/音1 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.这对应于小信号条件下，静态电流或工作电流。这是
预计该电流可以增加高达300mA P1dB时。
绝对最大额定值
工作温度
储存温度
RF输入功率（连续）
器件电压
器件的电流
设备电源
结温
参数
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
规格和信息如有变更，恕不另行通知
-40至+85
qC
-65到+150
qC
+22 dBm的
+8 V
400毫安
2W
+250
qC
等级
订购信息
产品型号
AH116-S8G
AH116-S8PCB900
描述
900 MHz的评估板
（无铅/绿色环保/ RoHS指令的SOIC - 8 PKG ）
�½ Watt, High Linearity InGaP HBT Amplifier
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
网站： www.wj.com
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2006年4月
WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]
