AG503-89 参数 Datasheet PDF下载

型号：	AG503-89
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内容描述：	的InGaP HBT增益模块 [InGaP HBT Gain Block]
分类和应用：	射频微波
文件页数/大小：	6 页 / 509 K
品牌：	WJCI [ WJ COMMUNICATION. INC. ]

AG503-89

的InGaP HBT增益模块

产品信息

典型的射频设备的性能

供应偏压= 8 V， Rbias两端= 44

Ω

，国际商会= 45毫安

增益与频率

-40 C

+25 C

+85 C

输出IP3与频率的关系

输出IP2与频率的关系

-40 C

+25 C

85 C

+25 C

+85 C

-40 C

OIP3 （ dBm的）

OIP2 （ dBm的）

增益（dB ）

频率（GHz ）

0.5

1.5

2.5

200

400

600

800

1000

频率（GHz ）

的P1dB与频率的关系

噪声系数与频率的关系

频率（MHz）

-40 C

+25 C

+85 C

NF（ dB）的

-40 C

+25 C

+85 C

P1dB的（ DBM）

0.5

1.5

2.5

3.5

频率（GHz ）

0.5

1.5

2.5

频率（GHz ）

VCC

ICC = 45毫安

应用电路

BIAS

电阻器

绕行

电容

0.018 µF

RF扼流圈

在RF

AG503-89

闭塞

电容

闭塞

电容

RF OUT

推荐元件值

参考

代号

500

820 nH的

220 nH的

C1, C2, C4

.018 µF

1000 pF的

参考文献。 DESIG 。

C1, C2

频率（MHz）

900

1900

2200

68 nH的

27 nH的

22 nH的

100 pF的

68 pF的

SIZE

0603

0805

2500

18 nH的

56 pF的

3500

15 nH的

39 pF的

1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。

2.下列值包含在评估板上，以达到最佳的宽带性能：

值/类型

39 nH的线绕电感器

56 pF的电容芯片

0.018

µF

贴片电容

不要将

22.1

Ω

1 ％容差

推荐偏置电阻值

S upply

R1值

S IZE

电压

22.2欧姆

0603

44.4欧姆

0805

67欧姆

1206

89欧姆

1210

10 V

111欧姆

1210

12 V

156欧姆

2010

对于R 1的合适的值是依赖于供给

电压和允许的温度范围内偏置稳定性。

WJ建议+6 V的最小偏置电源

1 ％的容差电阻。

规格和信息如有变更，恕不另行通知

WJ通信公司

•

电话1-800- WJ1-4401

•

传真： 408-577-6621

•

电子信箱： sales@wj.com

•

网站： www.wj.com

第3页6

2005年6月

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